DM5268-BA2T未来之星

随着美国UL新认证的要求，对电池的过充要求越来越低，以前是4.3V，现在是4.25V，

在4.3V 的时代，最火的是4.28V的过充，现在已经降低到4.25V，有些电池就已经做到4.225V的过充了。

所以呢，过充4.2V 会慢慢成为以后的主流。

DM5268-BA2T就是过充4.2V的单节高精度锂电池芯片，它将成为未来的明星型号。

这颗德赛微的芯片，直接对标精工的S-8261ABPMD-G3PT2x，过充4.2V，过放2.8V ,

也可以替代S-8200ABE-M6T1U，过充4.2V，过放3.2V，

还可以替代理光的

R5402N173KD 过充4.2V   过放2.8V
R5402N204KD  过充4.2V  过放2.5V
R5402N205KD   过充4.2V  过放3.0V
R5405K177LD  过充4.2V  过放3.0V

HY2113-LB1A  过充4.2V   过放2.5V

HY2113-IB2C  过充4.19V   过放2.8V

当然完全1:1替代的是 S-8261ABPMD-G3PT2x  和 R5402N173KD