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制造商: |
MACOM/CREE |
| 产品种类: | GaN 场效应晶体管 |
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| RoHS: | 详细信息 |
| 安装风格: | Screw Mount |
| 封装 / 箱体: | 440210 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
| Id-连续漏极电流: | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | - |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | - 3 V |
| 最小工作温度: | - 40 C |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | - |
| 商标: | MACOM |
| 配置: | Single |
| 开发套件: | CGHV96100F2-TB |
| 下降时间: | - |
| 正向跨导 - 最小值: | - |
| 增益: | 12.4 dB |
| 最大漏极/栅极电压: | - |
| 最大工作频率: | 9.6 GHz |
| 最小工作频率: | 7.9 GHz |
| 输出功率: | 131 W |
| 封装: | Tray |
| 产品: | GaN HEMTs |
| 产品类型: | GaN FETs |
| 上升时间: | - |
| 工厂包装数量: | 10 |
| 子类别: | Transistors |
| 技术: | GaN |
| 晶体管类型: | GaN HEMT |
| 典型关闭延迟时间: | - |
| Vgs-栅源极击穿电压 : | - 10 V to 2 V |
| 单位重量: | 65.235 g |
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