| 产品图 | 产品型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MT29F32G08CBADAWP:D TR | MICRON | MT29F32G08CBADAWP:D 是美光的内存芯片 |  |
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TPS7B8333QDCYRQ1 | TI | TPS7B8333QDCYRQ1是汽车级的LDO | |
| MKL16Z128VLH4 | NXP | |
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| CGHV96100F2高功率100W功率放大器 | CREE | Wolfspeed的CGHV96100F2是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的导热率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该IM FET采用金属/陶瓷法兰封装，具有最佳的电气和热性能。 | |
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SH367103X/016XY-AAE00 （TSSOP-16 | SINOWEALT中颖 | 3/4串锂电池Pack保护芯片 | |
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MLX90640ESF-BAB-000-TU | |
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MPXV5010DP | NXP | 压力传感器, 差分, 4.4 mV/kPa, 0 kPa, 10 kPa, 4.75 V, 5.25 V | |
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LTC4415EMSE#TRPBF | ADI | LTC4415EMSE#TRPBF全新原装假一赔十！公司现货当天可发 | |
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IRFH7085TRPBF | IR英飞凌 | IRFH7085TRPBF英飞凌单N MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN原装现货 | |
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IR4301MTRPBF | IR | IR4301MTRPBF音頻放大器消除爆音差分输入原装正品现货库存 | |
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