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T1G4020036-FL

GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
产品型号T1G4020036-FL
制造商Qorvo
描述GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
数据表
产品详细说明:

产品概述

Qorvo T1G4020036-FL是SIC HEMT上的2 x 200 W(p3db)离散,

从DC到3.5 GHz。 Thedevice是一个行业标准的空腔套件,

非常适合IFF,航空电子产品,军事和平民雷达和测试仪器。

该设备可以同时支持脉冲和线性操作。

可应要求提供无铅和ROHS-ROHS-REMHSTEVALUANION板。


关键特征

•频率:直流至3.5 GHz•输出功率(P3DB)1:200 W

•线性增益1:18.1 dB•典型的PAE3DB1:67.6%

•工作电压:50 V

•CW•CW和PULSE CAPABLENOTE 1: @ 2.8 GHz load Pull

应用

•军事和平民雷达

•专业和军事无线电通信

•测试仪器•宽带或窄带放大器

•干扰器

订购编号

描述

型号 T1G4020036-FL 

描述:DC  -  3.5 GHz,50 V,200 W GAN RFTRANSISTOR,

开发板型号 T1G4020036-FL-EVB1 

描述:  2.9  -  3.3 GHz EVB

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