对于传统的半导体材料，在高开关频率下会导致高的开关损耗，而GaN材料的低损耗特性可以降低发热，同时提高开关频率可以减少变压器和电容的体积，这都有助于减少充电器的体积和重量。
现在快充功率越来越高，民用氮化镓充电器的量产，可以说代表了未来充电器的一个发展方向。虽然现在的价格相对较高，但是相信不久的将来随着GaN材料的技术越来越成熟，越来越普及，GaN充电器的成本也会越来越低。
最近比较火的小米的65W氮化镓充电器的关键芯片就是
来自Navitas纳微的GaNFast氮化镓功率芯片NV6115。其内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用5*6mm QFN封装，
纳微是目前全球唯一家生产这种Gan芯片的。还有NV6113，NV6117等。
纳微NV6115此前已被Anker PowerCore Fusion PD超极充、RAVPower 45W GaN PD充电器、倍思65W氮化镓充电器、ROxANNE 66W氮化镓USB PD双口快充充电器等产品采用。
USB-C接口VBUS开关来自华羿半导体，型号HY15P03，PMOS，耐压30V，导阻4.8mΩ。
天钰的快充协议芯片此前已被紫米10000mAh USB PD快充移动电源、努比亚红魔10000mAh电竞移动电源、小米45W USB PD移动电源3高配版、紫米首款MFi认证无线充移动电源、IDMIX 1A1C 18W PD快充充电器等多款快充产品采用，性能获得客户广泛认可。
USB-A接口同步降压芯片来自SOUTHCHIP南芯半导体，型号SC8903。该芯片是一颗内部集成四管H桥的高效率同步升降压转换器，支持最高24V工作电压，支持动态输出电压控制，开关频率可调节，具有可编程的输入和输出电流限制，支持多种保护功能
USB-C接口协议采用慧能泰半导体的HUSB339。该芯片是深圳慧能泰半导体科技有限公司最新推出的USB PD3.0快充协议芯片，目前已经通过USB-IF协会的USB PD3.0 PPS认证，TID 62。同时这也是中国大陆地区第一款通过USB PD3.0 PPS认证的芯片，其支持多达五档FPDO和二档APDO，支持5V~23V范围内任意设置和组合FPDO档位，所有PDO的最大电流等级可达5A。
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